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bms mos管,80a40v場(chǎng)效應(yīng)管,KNY3404D參數(shù)規(guī)格書-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-03-11 

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bms mos管,KNY3404D參數(shù)引腳圖

bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,提升效率;具有開關(guān)速度快,內(nèi)阻低,耐沖擊特性好的特點(diǎn);低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測(cè)試,穩(wěn)定可靠、性能優(yōu)越;廣泛應(yīng)用于PWM應(yīng)用程序、電源管理、負(fù)載開關(guān)等;封裝形式:DFN5*6。

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漏源電壓:40V

漏極電流:80A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:320A

單脈沖雪崩能量:210MJ

功率耗散:64W

閾值電壓:1.5V

總柵極電荷:58nC

輸入電容:2680PF

輸出電容:250PF

反向傳輸電容:225PF

開通延遲時(shí)間:7.3nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:22nS

上升時(shí)間:16ns

下降時(shí)間:13ns

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