bms mos管,80a40v場(chǎng)效應(yīng)管,KNY3404D參數(shù)規(guī)格書-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-03-11
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V,漏極電流80A,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,提升效率;具有開關(guān)速度快,內(nèi)阻低,耐沖擊特性好的特點(diǎn);低柵極電荷、低反向傳輸電容、改進(jìn)的dv/dt能力、100%雪崩測(cè)試,穩(wěn)定可靠、性能優(yōu)越;廣泛應(yīng)用于PWM應(yīng)用程序、電源管理、負(fù)載開關(guān)等;封裝形式:DFN5*6。
漏源電壓:40V
漏極電流:80A
柵源電壓:±20V
脈沖漏電流:320A
單脈沖雪崩能量:210MJ
功率耗散:64W
閾值電壓:1.5V
總柵極電荷:58nC
輸入電容:2680PF
輸出電容:250PF
反向傳輸電容:225PF
開通延遲時(shí)間:7.3nS
關(guān)斷延遲時(shí)間:22nS
上升時(shí)間:16ns
下降時(shí)間:13ns
聯(lián)系方式:鄒先生
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