場效應(yīng)管的靜電擊穿,mos管靜電擊穿原因-KIA MOS管

場效應(yīng)管靜電擊穿

MOS管是一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。

靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。

靜電擊穿原因解決

MOS管的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。

雖然MOS輸入端有抗靜電的保護措施，但仍需小心對待，在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導(dǎo)電材料包裝，不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。

組裝、調(diào)試時，工具、儀表、工作臺等均應(yīng)良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞，如不宜穿尼龍、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時，使用的設(shè)備必須良好接地。

MOS電路輸入端的保護二極管，其導(dǎo)通時電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過大瞬態(tài)輸入電流（超過10mA）時，應(yīng)串接輸入保護電阻。因此應(yīng)用時可選擇一個內(nèi)部有保護電阻的MOS管應(yīng)。

還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號和過高的靜電電壓將使保護電路失去作用。所以焊接時電烙鐵必須可靠接地，以防漏電擊穿器件輸入端，一般使用時，可斷電后利用電烙鐵的余熱進行焊接，并先焊其接地管腳。

MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個微小的電荷可以儲存很長時間。在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。

這個電阻稱為柵極電阻，作用1：為場效應(yīng)管提供偏置電壓；作用2：起到瀉放電阻的作用（保護柵極G~源極S）。作用2原理：保護柵極G~源極S：場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極；這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應(yīng)管的作用。

mos管靜電擊穿分析

MOS管受到靜電擊穿是因為靜電放電可以在MOS管的柵極和源/漏極之間產(chǎn)生足夠高的電場強度，導(dǎo)致氧化層內(nèi)的電子穿越氧化層，形成通道，從而引發(fā)漏電流。

MOS擊穿兩種類型：

反向擊穿（Reverse Bias Breakdown）：當(dāng)在MOS管的柵極和源/漏極之間施加反向電壓時，電場強度可能足夠大，使氧化層內(nèi)的電子能夠穿越氧化層，形成導(dǎo)通通道，導(dǎo)致漏電流增加。

通道擊穿（Channel Punchthrough）：當(dāng)在MOS管的源和漏極之間施加足夠高的正向電壓時，電場強度也可能足夠大，使氧化層內(nèi)的電子能夠穿越氧化層，連接源和漏極，短路了通道，導(dǎo)致漏電流增加。

防止MOS擊穿措施：

增加氧化層厚度：增加氧化層的厚度可以提高擊穿電壓，降低擊穿的風(fēng)險。但這會導(dǎo)致設(shè)備性能的犧牲，因為更厚的氧化層會減小柵極控制通道的效率。

使用防擊穿設(shè)計：現(xiàn)代MOS器件通常使用防擊穿設(shè)計，包括使用特殊的結(jié)構(gòu)和材料，以提高抗擊穿能力。

靜電保護器件：GS電阻（Gate-Source Resistor）可以用于保護MOS管免受靜電擊穿的影響。GS電阻將柵極與源極之間連接，通過限制柵極電壓上升速度來降低靜電放電的影響。這有助于減輕靜電擊穿風(fēng)險，但也可能會影響設(shè)備的性能。

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