85n06場效應(yīng)管參數(shù),bms mos,KND3306C參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-21
KND3306C漏源電壓68V，漏極電流80A，極低電阻RDS（ON）為6.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗；低Crss、快速切換特性，實現(xiàn)快速切換電源，高效率低損耗；100%雪崩測試、改進(jìn)的dv/dt能力，確保性能穩(wěn)定可靠；適用于PWM應(yīng)用程序、bms電池管理、負(fù)載開關(guān)中；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好。
漏源電壓：68V
漏極電流：80A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：320A
單脈沖雪崩能量：260MJ
功率耗散：125W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：92.6nC
輸入電容：5850PF
輸出電容：230PF
反向傳輸電容：210PF
開通延遲時間：25nS
關(guān)斷延遲時間：48nS
上升時間：24ns
下降時間：10ns
聯(lián)系方式：鄒先生
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