KIA原廠家mos管 KIA6035A 11A /350V N溝道 PDF文件下載-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-03-13
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越性。
開關(guān)性能，在雪崩和換相模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合于高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低柵極電荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源電壓：350V
柵源電壓：±20V
漏電流連續(xù)：11A
脈沖漏極電流:9.0A
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：350V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：844PF
輸出電容：162PF
上升時間：23.5ns
封裝形式：TO-252、TO-220
4、KIA6035A產(chǎn)品規(guī)格
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KIA6035A |
| 產(chǎn)品編號 | KIA6035A 11A/350V |
| 產(chǎn)品工藝 |
這是功率MOSFET采用起亞`平面條形DMOS工藝生產(chǎn)的先進。這種先進的技術(shù)特別適合于最小化狀態(tài)電阻，提供優(yōu)越性。 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v 低柵極電荷（典型的15nc） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
適合于最小化狀態(tài)電阻，高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正。基于半橋拓撲。 |
| 封裝形式 | TO-252、TO-220 |
| PDF文件 |
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| LOGO |
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| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | dwkn.cn |
| PDF總頁數(shù) | 總5頁 |
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