4665現貨供應商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665參數詳細資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-07
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。
KNF4665特征
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V
低柵極電荷（典型的25nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv / dt的能力
KNF4665參數
產品型號：KNF4665
工作方式：7A/650V
漏源電壓：650V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：7.5A
脈沖漏極電流：30A
雪崩能量：21mJ
耗散功率：147W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：650V
溫度系數：0.65V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：970 PF
輸出電容:40 PF
上升時間：21 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
 |
KNF4665 |
| 產品編號 | KNF4665（7A 650V） |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用起亞的高級平面條形DMOS工藝生產。這種先進的技術已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優(yōu)越的開關性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲 |
| 產品特征 |
7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低柵極電荷（典型的25nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dv / dt的能力 |
| 適用范圍 |
主要適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲 |
| 封裝形式 | TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | dwkn.cn |
| PDF頁總數 | 總6頁 |
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