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IRF3205供應(yīng)商 IRF3205技術(shù)參數(shù)信息 IRF3205中文資料 KIA官網(wǎng)

信息來源:本站 日期:2018-01-22 

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IRF3205參數(shù)

功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的處理技術(shù)達(dá)到每個硅片極低的 導(dǎo)通阻抗。這樣有益于結(jié)合高速的開關(guān)和可靠使MOSFETS大量地實用設(shè)備上,使設(shè)計師能夠非常高效,可靠的應(yīng)用在 各個方面。

D2Pak表面封裝的適合于小功率大面積小HEX-4。它能夠提供最大的功率輸出和最可能小的導(dǎo)通阻抗在現(xiàn)有的貼片封裝。

D2Pak適合與大電流應(yīng)用場合,是因為它有低的內(nèi)部連接阻抗和具有2W的散熱能力,是典型的貼片封裝應(yīng)用。

IRF3205特征

先進(jìn)的加工技術(shù)

極低的導(dǎo)通阻抗

動態(tài)的dv/dt等級

175℃運行溫度

充分的雪崩等級

IRF3205參數(shù)

漏極電流(連續(xù)):110 A

脈沖漏極電流:390A

功率消散 :200W

線性額定降低因數(shù) :1.3 W/℃

門極電壓:±20

雪崩電流:62A

重復(fù)雪崩能量:20 mJ dv/dt

二極管恢復(fù)峰值電壓變化率:5.0 V/nS

工作節(jié)點溫度和保存溫度: -55(to) +175℃

焊接溫度,在10秒內(nèi):300(假設(shè)為1.6mm)℃

MOSFET選型指標(biāo)

PartNumbe

VDss(V)

ID(A)

Max RDS(ON)

@60%ID(Ω)

Typical RDS(ON)

@60%ID(Ω)

IRF840

500

8

0.85

63

IRF7811

30

14

14

17

IRF610

200

3.3

1.5

8.2

IRF530

100

17

90

24.7

IRF634

250

8.1

0.45

54

IRF7413

30

13

11

44

IRF3710

100

57

23

86.7

IRF024

55

162

4

160

IRF630

200

9.5

300

23.3

IRf1404

40

162

4

160

聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話:0755-83888366-8022

手機(jī):18123972950

QQ:2880195519

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3205

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