dcdcmos管,100v mos管,75a場效應(yīng)管,KIA3510AD參數(shù),現(xiàn)貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-10
KIA3510AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，性能高效低耗；100%雪崩測試，穩(wěn)定可靠；提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS標準）；廣泛應(yīng)用于控制板、DCDC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動板等，封裝形式：TO-252，安裝方便，體積小，散熱良好。
漏源電壓：75V
漏極電流：100A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：219A
雪崩能量單脈沖：225MJ
功率耗散：166W
閾值電壓：3.0V
總柵極電荷：60nC
輸入電容：2946PF
輸出電容：339PF
反向傳輸電容：179PF
開通延遲時間：15nS
關(guān)斷延遲時間：51nS
上升時間：108ns
下降時間：59ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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