12n60場效應管參數(shù),高壓mos管,KIA12N60H參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-26
KIA12N60H場效應管專為高壓、高速功率開關應用而設計，可以替代12N60型號應用在開關電源、LED驅(qū)動、儲能電源中；漏源擊穿電壓600V，漏極電流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低導通電阻，超低柵極電荷52nC，高效率低損耗；具有快速切換能力、改進的dv/dt能力、指定的雪崩能量，穩(wěn)定可靠；封裝形式： TO-220、220F。
漏源電壓：600V
漏極電流：12A
漏源通態(tài)電阻：0.53Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：48A
雪崩能量單脈沖：865MJ
功率耗散：231W
總柵極電荷：52nC
輸入電容：1850PF
輸出電容：180PF
開通延遲時間：30nS
關斷延遲時間：140nS
上升時間：90ns
下降時間：90ns
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