當(dāng)導(dǎo)體兩端電壓一定時,流過導(dǎo)體電流與導(dǎo)體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關(guān)...當(dāng)導(dǎo)體兩端電壓一定時,流過導(dǎo)體電流與導(dǎo)體電阻成反比。電流與電壓、電阻間的關(guān)系公式為:I=U/R,其中I為電流,U為電壓,R為電阻。由上述公式可知,當(dāng)電壓一定時,...
3n150場效應(yīng)管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,導(dǎo)通電阻RDS(...3n150場效應(yīng)管代換型號KNL42150A漏源擊穿電壓1500V,漏極電流3A,導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5Ω,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,減少開關(guān)損耗;具有高開關(guān)頻率、低...
下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖,由一個PMOS和一個NMOS拼接而成; 當(dāng)v=1時,T1截止...下圖為反相器的結(jié)構(gòu)示意圖,由一個PMOS和一個NMOS拼接而成; 當(dāng)v=1時,T1截止,T2導(dǎo)通,vo=0; 當(dāng)v=0時,T1導(dǎo)通,T2截止,vo=1;
當(dāng)PWM為1時,Q1實現(xiàn)導(dǎo)通,C端的電壓為低,接著Q2的B端電壓也為低,Q2導(dǎo)通; 這...當(dāng)PWM為1時,Q1實現(xiàn)導(dǎo)通,C端的電壓為低,接著Q2的B端電壓也為低,Q2導(dǎo)通; 這時Q2的E端電壓為14V,經(jīng)過Q2、D2、R4以后MOS管G端大概為12V,Q管(MOS)導(dǎo)通。在這...
逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,極低導(dǎo)通電阻RDS(on...逆變器專用MOS管KIA2906AP漏源擊穿電壓60V,漏極電流130A,極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ,低柵極電荷,最大限度地減少導(dǎo)電損耗,減少開關(guān)損耗;具有高雪崩耐量,穩(wěn)...